GP200 金属密封式质量流量控制器

尽享卓越性能，毫无限制。

GP200 系列是首款专为半导体制造中的先进刻蚀和沉积工艺设计的、完全不依赖压力的压力式质量流量控制器（P-MFC）。

GP200 系列 P-MFC 采用专利架构，突破了传统 P-MFC 的局限，即使在输送低蒸气压工艺气体时，也能提供最精确的工艺气体输送。该产品具备多项独特设计，包括集成式压差传感器与下游阀门架构的结合，可在业内最广泛的工作条件下实现最精确的工艺气体输送。

由于 GP200 系列支持如此广泛的工艺条件，因此可作为许多传统压力式微量气流控制器（P-MFC）和热式微量气流控制器（thermal MFC）的直接替代品和升级方案。它消除了对压力调节器和传感器等组件的需求，从而降低了供气系统的复杂性和拥有成本。

功能

真实差压测量
低入口压力运行
下游阀结构
匹配的瞬态响应
零泄漏控制阀
MultiFlo^TM 该技术提供了无与伦比的灵活性——只需对单台设备进行编程，即可实现数千种不同的气体和流量范围配置，且无需将MFC从气路上拆下，也不会影响测量精度
本地显示屏显示流量、温度、压力和网络地址
DeviceNet^TM, 经 ODVA 认证, EtherCAT®, RS-485 L协议和模拟接口

应用

半导体制造
蚀刻
化学气相沉积（CVD）
需要高纯度全金属流道的气体流量控制应用

优势

GP200差压技术消除了对两个独立压力传感器进行匹配和补偿的要求，从而降低了测量不确定度，提高了测量精度、重复性和漂移性能。
如今，借助 P-MFC，在较低进气压力下也能实现更安全的晶圆厂运行，这得益于专门针对低压差测量进行优化的 GP200 压差传感器。
下游阀门结构确保了精度不受下游压力影响，从而能够在高达 1200 Torr 的压力下输送流体。快速关闭阀门解决了上游 MFC 阀门设计中常见的非生产性配方等待时间（即“尾效”），因为后者需要额外时间来排空其内部气体。
超快的上升和下降流速稳定时间以及极高的重复性，使得在先进的高循环沉积和刻蚀工艺中能够实现更严格的工艺控制。
阀门关闭性能提升100倍
借助 MultiFlo^TM 技术，MFC 的满量程流量范围通常可按 3:1 的比例缩小，且不会影响精度、调节比或泄漏量（符合规格要求），从而实现工艺和库存管理的最大灵活性
便捷的用户显示屏和独立的诊断/服务端口有助于设备的安装、监控和故障排除

基于压力的质量流量控制器——工作原理

第2部分：用于先进半导体制造的压力式质量流量计

质量流量计如何利用零泄漏阀技术应对流量突增

介质类型	Gas
流量测量原理	Pressured-based (P-MFC)
流量范围	3 sccm - 50,000 sccm
精度范围	Zero Leak Valve: <±1% S.P. (5-100% F.S.), <±0.05% F. S. (0.5-5% F.S.), Metal Seal Valve: <±1% S.P. (5-100% F.S.), <±0.05% F. S. (2-5% F.S.)
调节比	Zero Leak Valve: 0.5 - 100% F.S., Metal Seal Valve: 2 - 100% F.S.
重复性	< ±0.15% S.P.
最大压力	150 psi
工作温度	10°C - 60°C
测量/控制	Measure & Control (Controller)
最大流量	50 slpm
最大流量	50000 sccm
最大工作压力	10 bar
最高温度	60 celsius
密封选项	Metal
精度（占流量百分比）	±1.0%
连接方式	Analog (0–5 V), DeviceNet, EtherCAT, RS485